Pós-doutorado em materiais semicondutores na USP de São Carlos

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Agência FAPESP* –Agência FAPESP – Uma vaga de pós-doutorado com bolsa da FAPESP está disponível pelo projeto “Desenvolvimento de dispositivos semicondutores para geração de hidrogênio verde via separação fotoeletroquímica da água sem polarização externa, conduzido no Instituto de Física de São Carlos da Universidade de São Paulo (IFSC-USP) no âmbito do Programa FAPESP de Pesquisa sobre Mudanças Climáticas Globais (PFPMCG). As inscrições vão até 10 de outubro.

A vaga requer formação em física, química, engenharia de materiais ou áreas relacionadas. O bolsista trabalhará em um projeto voltado ao desenvolvimento de materiais semicondutores, especificamente BiVO4, para produção de hidrogênio verde por meio de processos de foto(eletro)catálise.

É importante que os candidatos tenham competências em técnicas de caracterização, como difração de raios X (XRD), espectroscopia Raman, espectroscopia de fotoelétrons excitados por raios X (XPS), microscopia eletrônica de varredura (SEM), espectroscopia na região do ultravioleta visível (UV-VIS), entre outras.

Também é desejável que os candidatos possuam comprovação de experiência prévia em síntese de materiais semicondutores utilizando métodos físicos (sputtering, spin coating, spray, entre outras) e químicos (hidrotermal, estado sólido, pechini, entre outras), além de habilidades em conduzir medidas eletroquímicas.

Mais informações sobre a vaga e as inscrições em: www.fapesp.br/oportunidades/6381/.

A oportunidade de pós-doutorado está aberta a brasileiros e estrangeiros. O selecionado receberá Bolsa de Pós-Doutorado da FAPESP no valor de R$ 9.047,40 mensais e Reserva Técnica equivalente a 10% do valor anual da bolsa para atender a despesas imprevistas e diretamente relacionadas à atividade de pesquisa.

Caso o bolsista de PD resida em domicílio fora da cidade na qual se localiza a instituição-sede da pesquisa e precise se mudar, poderá ter direito a um auxílio-instalação. Mais informações sobre a Bolsa de Pós-Doutorado da FAPESP estão disponíveis em www.fapesp.br/bolsas/pd.

Outras vagas de bolsas, em diversas áreas do conhecimento, estão no site FAPESP-Oportunidades, em www.fapesp.br/oportunidades.

<p><strong>Agência FAPESP</strong> – Uma vaga de pós-doutorado com bolsa da FAPESP está disponível pelo projeto “<strong><a href=" https://bv.fapesp.br/pt/auxilios/113125/" target="_blank">Desenvolvimento de dispositivos semicondutores para geração de hidrogênio verde via separação fotoeletroquímica da água sem polarização externa</a></strong>, conduzido no Instituto de Física de São Carlos da Universidade de São Paulo (IFSC-USP) no âmbito do Programa FAPESP de Pesquisa sobre Mudanças Climáticas Globais (<strong><a href="https://mudancasclimaticas.fapesp.br/" target="_blank">PFPMCG</a></strong>). As inscrições vão até 10 de outubro.</p>

<p>A vaga requer formação em física, química, engenharia de materiais ou áreas relacionadas. O bolsista trabalhará em um projeto voltado ao desenvolvimento de materiais semicondutores, especificamente BiVO4, para produção de hidrogênio verde por meio de processos de foto(eletro)catálise.</p>

<p>É importante que os candidatos tenham competências em técnicas de caracterização, como difração de raios X (XRD), espectroscopia Raman, espectroscopia de fotoelétrons excitados por raios X (XPS), microscopia eletrônica de varredura (SEM), espectroscopia na região do ultravioleta visível (UV-VIS), entre outras.</p>

<p>Também é desejável que os candidatos possuam comprovação de experiência prévia em síntese de materiais semicondutores utilizando métodos físicos (sputtering, spin coating, spray, entre outras) e químicos (hidrotermal, estado sólido, pechini, entre outras), além de habilidades em conduzir medidas eletroquímicas.</p>

<p>Mais informações sobre a vaga e as inscrições em: <strong><a href="http://www.fapesp.br/oportunidades/6381/" target="_blank">www.fapesp.br/oportunidades/6381/</a></strong>.</p>

<p>A oportunidade de pós-doutorado está aberta a brasileiros e estrangeiros. O selecionado receberá Bolsa de Pós-Doutorado da FAPESP no valor de R$ 9.047,40 mensais e Reserva Técnica equivalente a 10% do valor anual da bolsa para atender a despesas imprevistas e diretamente relacionadas à atividade de pesquisa.</p>

<p>Caso o bolsista de PD resida em domicílio fora da cidade na qual se localiza a instituição-sede da pesquisa e precise se mudar, poderá ter direito a um auxílio-instalação. Mais informações sobre a Bolsa de Pós-Doutorado da FAPESP estão disponíveis em <strong><a href="http://www.fapesp.br/bolsas/pd" target="_blank">www.fapesp.br/bolsas/pd</a></strong>.</p>

<p>Outras vagas de bolsas, em diversas áreas do conhecimento, estão no site FAPESP-Oportunidades, em <strong><a href="http://www.fapesp.br/oportunidades" target="_blank">www.fapesp.br/oportunidades</a></strong>.<br />
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